(029)696-52-88 
(033)
bestbooksby@gmail.com ПРИЕМ ЗАКАЗОВ ПО ИНТЕРНЕТУ - КРУГЛОСУТОЧНО.
В случае отсутствия книги на сайте возможен заказ по телефону с 10:00 до 18:00 Пн-Пт.
ЗАКАЗЫ ПРИНИМАЮТСЯ НА 24.04.2024 г.
НАЛИЧИЕ КНИГ УТОЧНЯЙТЕ ПО ТЕЛЕФОНУ (В РАБОЧЕЕ ВРЕМЯ) ИЛИ ПО ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЕ
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
У этого товара нет ни одного отзыва. Вы можете стать первым.